BD679
Symbol Micros:
TBD679 c
Gehäuse: TO126
darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 40W |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Gehäuse: | TO126 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-10-30
Anzahl Stück: 1000
| Verlustleistung: | 40W |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Gehäuse: | TO126 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 80V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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