BD679

Symbol Micros: TBD679 c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz darl.NPN 4A 80V 40W 1MHz
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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