BD680 JSMICRO

Symbol Micros: TBD680 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
PNP Darlington-Transistor; 750; 40W; 80V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD680-ST; BD680G;
Parameter
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2897 0,1543 0,1197 0,1105 0,1058
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD680 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3062 0,1950 0,1369 0,1189 0,1112
Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: Darlington PNP