TBD681 iso

Symbol Micros: TBD681 iso
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126iso
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Tranzystor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD681STU;
Parameter
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126iso
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126iso
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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