TBD681 iso

Symbol Micros: TBD681 iso

Gehäuse: TO126iso

Tranzystor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BD681STU;

Parameter

Verlustleistung:	40W
Stromverstärkungsfaktor:	750
Gehäuse:	TO126iso
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Verlustleistung:	40W
Stromverstärkungsfaktor:	750
Gehäuse:	TO126iso
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN