BD681

Symbol Micros: TBD681sgs

Gehäuse: TO126

Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	40W
Hersteller:	STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor:	750
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	1MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5424	0,3296	0,2525	0,2282	0,2172

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 Gehäuse: TO126

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300366 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2172

Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 Gehäuse: TO126

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Anzahl Stück	1050+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,2172

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2026-04-10

Anzahl Stück: 1000

Verlustleistung:	40W
Hersteller:	STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor:	750
Gehäuse:	TO126
Grenzfrequenz:	1MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2946	0,1569	0,1220	0,1103	0,1068

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2946	0,1569	0,1220	0,1103	0,1068

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2946	0,1569	0,1220	0,1103	0,1068

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2946	0,1569	0,1220	0,1103	0,1068

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2875	0,1531	0,1188	0,1096	0,1050