BD681

Symbol Micros: TBD681sgs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Grenzfrequenz: 1MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
1190 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4621 0,2792 0,2154 0,1942 0,1849
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
197000 stk.
Anzahl Stück 900+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1849
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 Gehäuse: TO126  
Externes Lager:
119500 stk.
Anzahl Stück 1050+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1849
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Grenzfrequenz: 1MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN