BD682 SGS
Symbol Micros:
TBD682sgs
Gehäuse: TO126
darl.PNP 4A 100V 40W 1MHz darl.PNP 4A 100V 40W 1MHz
Parameter
| Verlustleistung: | 40W |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Gehäuse: | TO126 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4736 | 0,2865 | 0,2200 | 0,1987 | 0,1890 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BD682
Gehäuse: TO126
Externes Lager:
5850 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1890 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BD682
Gehäuse: TO126
Externes Lager:
28120 stk.
| Anzahl Stück | 2700+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1890 |
Hersteller: ST
Hersteller-Teilenummer: BD682
Gehäuse: TO126
Externes Lager:
103750 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1890 |
| Verlustleistung: | 40W |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Stromverstärkungsfaktor: | 750 |
| Gehäuse: | TO126 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 4A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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