BD682 SGS

Symbol Micros: TBD682sgs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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darl.PNP 4A 100V 40W 1MHz darl.PNP 4A 100V 40W 1MHz
Parameter
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD682 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
850 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4671 0,2826 0,2170 0,1960 0,1864
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Standard-Verpackung:
50/1000
Verlustleistung: 40W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 750
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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