BD711 TO220

Symbol Micros: TBD711
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
NPN; 400; 75W; 100V; 12A; 3MHz; -65°C ~ 150°C; NPN; 400; 75W; 100V; 12A; 3MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 75W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 75W
Grenzfrequenz: 3MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 12A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN