BD912 sgs

Symbol Micros: TBD912sgs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
PNP 15A 100V 90W 3MHz PNP 15A 100V 90W 3MHz
Parameter
Verlustleistung: 90W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD912 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
350 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,8420 0,5283 0,4151 0,3774 0,3656
Standard-Verpackung:
50/450
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD912 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
43 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,8420 0,5283 0,4151 0,3774 0,3656
Standard-Verpackung:
43
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD912 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
26 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 450+
Nettopreis (EUR) 0,8420 0,5283 0,4151 0,3774 0,3656
Standard-Verpackung:
39
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD912 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
122105 stk.
Anzahl Stück 400+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3656
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD912 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
18600 stk.
Anzahl Stück 1150+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3656
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 90W
Hersteller: STMicroelectronics
Stromverstärkungsfaktor: 250
Gehäuse: TO220
Grenzfrequenz: 3MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP