BDP947

Symbol Micros: TBDP947

Gehäuse: SOT223

NPN 3A 45V 5W 100MHz NPN 3A 45V 5W 100MHz

Parameter

Verlustleistung:	5W
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT223
Stromverstärkungsfaktor:	475
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BDP947 H6327 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,8629	0,5737	0,4734	0,4268	0,4105

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BDP947H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

433 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,8629	0,5737	0,4734	0,4268	0,4105

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BDP947H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

1000 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4105

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BDP947H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223

Externes Lager:

7600 stk.

Anzahl Stück	100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	0,4305

Verlustleistung:	5W
Hersteller:	Infineon Technologies
Gehäuse:	SOT223
Stromverstärkungsfaktor:	475
Grenzfrequenz:	100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	45V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN