BDP949 INFINEON

Symbol Micros: TBDP949
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Transistor GP BJT NPN 60V 3A 5000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Transistor GP BJT NPN 60V 3A 5000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Parameter
Verlustleistung: 5W
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 5W
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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