BDP950H6327 PG-SOT223-4-24 INFINEON

Symbol Micros: TBDP950
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223-4
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT PNP 60V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 5W
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT223-4
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BDP950H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223-4  
Externes Lager:
1800 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,4646
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 5W
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 475
Gehäuse: SOT223-4
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole