BDP953H6327XTSA1

Symbol Micros: TBDP953
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT;
Parameter
Verlustleistung: 5W
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 15
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BDP953H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,9133 0,5723 0,4765 0,4228 0,3971
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Standard-Verpackung:
100
Verlustleistung: 5W
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 15
Gehäuse: SOT223
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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