BDP953H6327XTSA1
Symbol Micros:
TBDP953
Gehäuse: SOT223
Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R; Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT;
Parameter
| Verlustleistung: | 5W |
| Hersteller: | INFINEON |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 15 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BDP953H6327XTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT223t/r
Auf Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9120 | 0,5715 | 0,4758 | 0,4222 | 0,3965 |
| Verlustleistung: | 5W |
| Hersteller: | INFINEON |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Stromverstärkungsfaktor: | 15 |
| Grenzfrequenz: | 100MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 3A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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