BDP953H6327XTSA1

Symbol Micros: TBDP953
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R; Trans GP BJT NPN 100V 3A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 BDP953H6327XTSA1; BDP953H6327XT;
Parameter
Verlustleistung: 5W
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 15
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BDP953H6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r  
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8961 0,5615 0,4675 0,4148 0,3896
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BDP953H6327XTSA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
10000 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,3896
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 5W
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT223
Stromverstärkungsfaktor: 15
Grenzfrequenz: 100MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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