BDV65BG
Symbol Micros:
TBDV65bg
Gehäuse: TO247
Transistor Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Transistor Darlington NPN 100V 10A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247
Parameter
| Verlustleistung: | 125W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
| Gehäuse: | TO247 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 10A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Verlustleistung: | 125W |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
| Gehäuse: | TO247 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 10A |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 100V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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