BF550
Symbol Micros:
TBF550
Gehäuse: TO236AB
Transistor GP BJT PNP 40V 0.025A 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB BF550,215; BF550.215; BF550,235;
Parameter
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Gehäuse: | TO236AB |
| Grenzfrequenz: | 325MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 25mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Verlustleistung: | 250mW |
| Hersteller: | NXP |
| Stromverstärkungsfaktor: | 50 |
| Gehäuse: | TO236AB |
| Grenzfrequenz: | 325MHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 25mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 40V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | PNP |
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