BF998 smd

Symbol Micros: TBF998

Gehäuse: SOT143

N-Channel-MOSFET-Transistor; 12V; 20V; 30mA; 200 mW; -65 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BF998E6327HTSA1; BF998E6327; BF998E6327XT; BF998.215;

Parameter

Max. Drainstrom:	30mA
Maximaler Leistungsverlust:	200mW
Gehäuse:	SOT143
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BF998 RoHS Gehäuse: SOT143 t/r

Auf Lager:

3000 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4725	0,2854	0,2201	0,1986	0,1890

Max. Drainstrom:	30mA
Maximaler Leistungsverlust:	200mW
Gehäuse:	SOT143
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	12V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Montage:	SMD