BFN26 smd

Symbol Micros: TBFN26
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 0.2A 300V 0.36W 100MHz NPN 0.2A 300V 0.36W 100MHz
Parameter
Verlustleistung: 360mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 70MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 360mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 30
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 70MHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 200mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN