BFP193E

Symbol Micros: TBFP193

Gehäuse: SOT143

Transistor NPN; 140; 580mW, 12V; 80mA; 8GHz, -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BFP193E6327; BFP193E6327HTSA1;

Parameter

Verlustleistung:	580mW
Hersteller:	INFINEON
Gehäuse:	SOT143
Stromverstärkungsfaktor:	140
Grenzfrequenz:	8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	80mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	12V

Verlustleistung:	580mW
Hersteller:	INFINEON
Gehäuse:	SOT143
Stromverstärkungsfaktor:	140
Grenzfrequenz:	8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	80mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN