BFR181WH6327XTSA1 INFINEON

Symbol Micros: TBFR181w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Transistor RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R Transistor RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Parameter
Verlustleistung: 175W
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 140
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR181WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2354 0,1301 0,0865 0,0720 0,0671
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 175W
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT323
Stromverstärkungsfaktor: 140
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN