BFR181WH6327XTSA1 INFINEON

Symbol Micros: TBFR181w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Transistor RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R Transistor RF BJT NPN 12V 0.02A 175mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Parameter
Verlustleistung: 175W
Grenzfrequenz: 8GHz
Stromverstärkungsfaktor: 140
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR181WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2364 0,1306 0,0868 0,0723 0,0674
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR181WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0674
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 175W
Grenzfrequenz: 8GHz
Stromverstärkungsfaktor: 140
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT323
Max. Kollektor-Strom [A]: 20mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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