BFR182WH6327XTSA1

Symbol Micros: TBFR182w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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Transistor NPN; Bipolar; 100; 12V; 2V; 8GHz; 35mA; 250mW; -65°C~150°C; Ersatz: BFR182WH6327;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 35mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR182WH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2209 0,1222 0,0811 0,0678 0,0631
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 35mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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