BFR193E6327HTSA1
Symbol Micros:
TBFR193
Gehäuse: SOT23
NPN 12V 0.8A 0.58W NPN 12V 0.8A 0.58W
Parameter
| Verlustleistung: | 580mW |
| Hersteller: | INFINEON |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Grenzfrequenz: | 8GHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 80mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BFR193E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
680 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2605 | 0,1383 | 0,1070 | 0,0990 | 0,0947 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BFR193E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
8900 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1294 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BFR193E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
153000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0947 |
| Verlustleistung: | 580mW |
| Hersteller: | INFINEON |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Grenzfrequenz: | 8GHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 80mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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