BFR193E6327HTSA1
Symbol Micros:
TBFR193
Gehäuse: SOT23
NPN 12V 0.8A 0.58W NPN 12V 0.8A 0.58W
Parameter
| Verlustleistung: | 580mW |
| Hersteller: | INFINEON |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Grenzfrequenz: | 8GHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 80mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BFR193E6327HTSA1 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
680 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2611 | 0,1386 | 0,1073 | 0,0992 | 0,0949 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BFR193E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
100 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1111 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BFR193E6327HTSA1
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
189000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0949 |
| Verlustleistung: | 580mW |
| Hersteller: | INFINEON |
| Stromverstärkungsfaktor: | 100 |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Grenzfrequenz: | 8GHz |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 80mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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