BFR193E6327HTSA1

Symbol Micros: TBFR193
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
NPN 12V 0.8A 0.58W NPN 12V 0.8A 0.58W
Parameter
Verlustleistung: 580mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 80mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR193E6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
680 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2605 0,1383 0,1070 0,0990 0,0947
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR193E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
8900 stk.
Anzahl Stück 100+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,1294
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR193E6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
153000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0947
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 580mW
Hersteller: INFINEON
Stromverstärkungsfaktor: 100
Gehäuse: SOT-23
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 80mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN