BFR193WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBFR193w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 12V 8GHz 80mA 580mW NPN 12V 8GHz 80mA 580mW
Parameter
Verlustleistung: 580mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 80mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR193W H6327 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2680 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2494 0,1376 0,0915 0,0762 0,0710
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR193WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0867
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR193WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,0889
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 580mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 80mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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