BFR193WH6327 Infineon

Symbol Micros: TBFR193w
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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NPN 12V 8GHz 80mA 580mW NPN 12V 8GHz 80mA 580mW
Parameter
Verlustleistung: 580mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 80mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR193W H6327 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2680 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2495 0,1377 0,0916 0,0763 0,0711
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR193WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
15000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0711
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR193WH6327XTSA1 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0711
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 580mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT323
Grenzfrequenz: 8GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 80mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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