BFR93AE6327HTSA1

Symbol Micros: TBFR93a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; 140; 300mW; 12V; 90mA; 6GHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 140; 300mW; 12V; 90mA; 6GHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 6GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 90mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR93AE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
15060 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4035 0,2224 0,1749 0,1619 0,1552
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 6GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 90mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN