BFR93AE6327HTSA1

Symbol Micros: TBFR93a
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 140; 300mW; 12V; 90mA; 6GHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 140; 300mW; 12V; 90mA; 6GHz; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 6GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 90mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR93AE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
27610 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2418 0,1340 0,0892 0,0744 0,0693
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR93AE6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1059
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Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFR93AE6327HTSA1 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
1539000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0833
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 300mW
Hersteller: Infineon Technologies
Stromverstärkungsfaktor: 140
Gehäuse: SOT23
Grenzfrequenz: 6GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 90mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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