BFS17NTA

Symbol Micros: TBFS17NTA Diodes
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans RF BJT NPN 11V 0.05A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Parameter
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 180
Grenzfrequenz: 3,2GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 50mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 11V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 350mW
Hersteller: DIODES
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 180
Grenzfrequenz: 3,2GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 50mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 11V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

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