BFS17NTA JGSEMI

Symbol Micros: TBFS17NTA JGS

Gehäuse: SOT23

NPN-Transistor; 400; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BFS17NTA Diodes

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	JGSEMI
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	7GHz
Stromverstärkungsfaktor:	400
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	12V

Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BFS17NTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2065	0,1143	0,0758	0,0633	0,0590

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Geplantes Datum:
2026-11-13

Anzahl Stück: 3000

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	JGSEMI
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	7GHz
Stromverstärkungsfaktor:	400
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN