BFS17NTA JGSEMI

Symbol Micros: TBFS17NTA JGS

Gehäuse: SOT23

NPN-Transistor; 400; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BFS17NTA Diodes

Parameter

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	400
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	7GHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	12V

Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: BFS17NTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2142	0,1185	0,0786	0,0656	0,0612

Verlustleistung:	200mW
Hersteller:	JGSEMI
Stromverstärkungsfaktor:	400
Gehäuse:	SOT23
Grenzfrequenz:	7GHz
Max. Kollektor-Strom [A]:	100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	12V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN