BFS17PE6327

Symbol Micros: TBFS17p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor NPN; Bipolar; 150; 280mW; 15V; 25mA; 1,4GHz; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 150; 280mW; 15V; 25mA; 1,4GHz; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: 280mW
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 150
Grenzfrequenz: 1,4GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 25mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 15V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFS17PE6327 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2493 0,1380 0,0917 0,0764 0,0713
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BFS17PE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2493 0,1380 0,0917 0,0764 0,0713
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 280mW
Hersteller: INFINEON
Gehäuse: SOT23
Stromverstärkungsfaktor: 150
Grenzfrequenz: 1,4GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 25mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN