BFU530AR

Symbol Micros: TBFU530ar
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3
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Transistor RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB Transistor RF BJT NPN 16V 0.065A 450mW Automotive 3-Pin TO-236AB
Parameter
Verlustleistung: 450mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 200
Grenzfrequenz: 11GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 65mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 16V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BFU530AR RoHS Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3 Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,3802 0,2103 0,1661 0,1507 0,1459
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 450mW
Hersteller: NXP
Gehäuse: TO236-3 AB =>SOT23-3
Stromverstärkungsfaktor: 200
Grenzfrequenz: 11GHz
Max. Kollektor-Strom [A]: 65mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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