BM3415E SOT23 BORN

Name: TBM3415e BORN TBM3415e BORN
Brand: BORN
SKU: TBM3415eBORN
Price: 0.0392 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBM3415e BORN

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 65mOhm; 4,8A; 1,5 W; -50 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	4,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	BORN
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: BORN Hersteller-Teilenummer: BM3415E RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

280 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	300+	1500+
Nettopreis (EUR)	0,2157	0,1017	0,0566	0,0455	0,0392

Widerstand im offenen Kanal:	65mOhm
Max. Drainstrom:	4,8A
Maximaler Leistungsverlust:	1,5W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	BORN
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 150°C
Montage:	SMD