BS170
Symbol Micros:
TBS170
Gehäuse: TO92
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170 (Masse); BS170G (Röhre); BS170D27Z; BS170D26Z; BS170G; BS170-GURT;BS170-D26Z; BS170-D27Z; BS170-D74Z; BS170-D75Z; BS170-LOSE; BS170; BS 170 Bulk;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BS170 RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
4530 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2609 | 0,1272 | 0,0872 | 0,0773 | 0,0747 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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