BS170-D26Z (krępowane=forming)
Symbol Micros:
TBS170F
Gehäuse: TO92formed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5Ohm; 500mA; 830 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS170_D26Z (Rolle); BS170_D27Z(Rolle); BS170_D74Z/BS170_D75Z(Munition); BS170RL1G(T/R); BS170D27Z; BS170-D27Z; BS170-BAND; BS170_D26Z REEL; BS170D26Z; BS170-GURT;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | TO92formed |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: BS170-D26Z RoHS
Gehäuse: TO92formed t/r
Auf Lager:
3720 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3324 | 0,1841 | 0,1455 | 0,1320 | 0,1278 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 500mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | TO92formed |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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