BS250P
Symbol Micros:
TBS250
Gehäuse: TO92formed
P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 14Ohm |
| Max. Drainstrom: | 230mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
| Gehäuse: | TO92formed |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 45V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Zetex
Hersteller-Teilenummer: BS250P RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
3 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7959 | 0,5035 | 0,3968 | 0,3620 | 0,3457 |
Hersteller: DIODES/ZETEX
Hersteller-Teilenummer: BS250P RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7959 | 0,5035 | 0,3968 | 0,3620 | 0,3457 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 14Ohm |
| Max. Drainstrom: | 230mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 700mW |
| Gehäuse: | TO92formed |
| Hersteller: | DIODES |
| Max. Drain-Source Spannung: | 45V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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