BS250P

Symbol Micros: TBS250
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92formed
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92formed
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 45V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250P RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
1000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8049 0,5092 0,4013 0,3661 0,3497
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Standard-Verpackung:
1000
Hersteller: Zetex Hersteller-Teilenummer: BS250P RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
3 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8049 0,5092 0,4013 0,3661 0,3497
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Standard-Verpackung:
500
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250P Gehäuse: TO92formed  
Externes Lager:
127 stk.
Anzahl Stück 1+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR) 0,5174
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Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
40 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 700mW
Gehäuse: TO92formed
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 45V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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