BS250P

Symbol Micros: TBS250

Gehäuse: TO92formed

P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; 20V; 14Ohm; 230mA; 700 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BS250KL; BS250P; BS250P-DIC; BS250;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	14Ohm
Max. Drainstrom:	230mA
Maximaler Leistungsverlust:	700mW
Gehäuse:	TO92formed
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	45V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250P RoHS Gehäuse: TO92bul

Auf Lager:

350 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,8039	0,5062	0,3961	0,3609	0,3492

Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250P Gehäuse: TO92formed

Externes Lager:

4666 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,3492

Widerstand im offenen Kanal:	14Ohm
Max. Drainstrom:	230mA
Maximaler Leistungsverlust:	700mW
Gehäuse:	TO92formed
Hersteller:	DIODES
Max. Drain-Source Spannung:	45V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT