BS250FTA

Symbol Micros: TBS250fta
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 45V; +/-20V; 90mA; 14Ohm; 330 mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 90mA
Maximaler Leistungsverlust: 330mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 45V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: DIODES/ZETEX Hersteller-Teilenummer: BS250FTA RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4637 0,2806 0,2161 0,1950 0,1855
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 14Ohm
Max. Drainstrom: 90mA
Maximaler Leistungsverlust: 330mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: DIODES
Max. Drain-Source Spannung: 45V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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