BS270

Symbol Micros: TBS270
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.4A 3-Pin TO-92 Transistor: N-MOSFET | unipolar | 60V | 0,4A | Idm: 2A | 0,625 W | TO92
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: BS270 RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
494 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 30+ 100+ 494+
Nettopreis (EUR) 0,3733 0,2418 0,1869 0,1585 0,1432
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Standard-Verpackung:
494
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 400mA
Maximaler Leistungsverlust: 625mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: ONSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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