BSC010N04LS6

Symbol Micros: TBSC010n04ls6

Gehäuse: TDSON08

N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,4 mOhm; 285A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC010N04LS6ATMA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,4mOhm
Max. Drainstrom:	285A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	1,4mOhm
Max. Drainstrom:	285A
Maximaler Leistungsverlust:	150W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD