BSC010N04LS6

Symbol Micros: TBSC010n04ls6
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Gehäuse: TDSON08
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N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,4 mOhm; 285A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC010N04LS6ATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,4mOhm
Max. Drainstrom: 285A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC010N04LS6ATMA1 Gehäuse: TDSON08  
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Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7617
Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,4mOhm
Max. Drainstrom: 285A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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