BSC010N04LS
Symbol Micros:
TBSC010n04lsatma1
Gehäuse: TDSON08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,3 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC010N04LSATMA1; BSC010N04LS;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 139W |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 139W |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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