BSC010N04LSI
Symbol Micros:
TBSC010n04lsi
Gehäuse: TDSON08
Trans MOSFET N-CH 40V 37A 8-Pin TDSON EP T/R BSC010N04LSIATMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC010N04LSIATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
10000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8107 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC010N04LSIATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,8445 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,05mOhm |
| Max. Drainstrom: | 27A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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