BSC010NE2LSATMA1 Infineon

Symbol Micros: TBSC010ne2ls
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 1,3 mOhm; 100A; 96W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC010NE2LSATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,3mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC010NE2LSATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,2355 0,9430 0,7815 0,6832 0,6505
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 1,3mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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