BSC010NE2LSIATMA1 Infineon
Symbol Micros:
TBSC010ne2lsi
Gehäuse: TDSON08
N-MOSFET 25V 38A BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 96W |
| Max. Drainstrom: | 38A |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1mOhm |
| Maximaler Leistungsverlust: | 96W |
| Max. Drainstrom: | 38A |
| Gehäuse: | TDSON08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole