BSC010NE2LSIATMA1 Infineon

Symbol Micros: TBSC010ne2lsi
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-MOSFET 25V 38A BSC010NE2LS BSC010NE2LSATMA1 BSC010NE2LSI BSC010NE2LSIATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC010NE2LSIATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3367
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1mOhm
Max. Drainstrom: 38A
Maximaler Leistungsverlust: 96W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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