BSC016N06NS

Name: TBSC016n06ns TBSC016n06ns
Brand: Infineon
SKU: TBSC016n06ns
Price: 1.5415 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSC016n06ns

Gehäuse: TDSON08

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2,9mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	139W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NS RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt

Auf Lager:

59 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,3123	1,8360	1,6589	1,5692	1,5415

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NSATMA1 Gehäuse: TDSON08

Externes Lager:

1600 stk.

Anzahl Stück	50+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung)
Nettopreis (EUR)	1,5415

Widerstand im offenen Kanal:	2,9mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	139W
Gehäuse:	TDSON08
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD