BSC016N06NS

Symbol Micros: TBSC016n06ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2,9 mOhm; 100A; 139W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,9mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Max. Drainstrom: 100A
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC016N06NS RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
109 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,3656 1,8784 1,6971 1,6053 1,5771
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 2,9mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 139W
Max. Drainstrom: 100A
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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