BSC019N04NSGATMA1

Symbol Micros: TBSC019n04ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 1,9 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC019N04NSGATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 2,6944 2,0696 1,8394 1,7219 1,6843
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 1,9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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