BSC022N04LS6

Symbol Micros: TBSC022n04ls6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,2 mOhm; 139A; 79W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: BSC022N04LS6ATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,2mOhm
Max. Drainstrom: 139A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC022N04LS6ATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 3,0236 2,4988 2,1891 2,0401 1,9503
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Standard-Verpackung:
10
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC022N04LS6ATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,9503
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,2mOhm
Max. Drainstrom: 139A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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