BSC024NE2LS INFINEON

Symbol Micros: TBSC024ne2ls
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-MOSFET-Transistor; 25V; 20V; 3,4 mOhm; 100A; 48W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC024NE2LSATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,4mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC024NE2LSATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1418 0,7588 0,6288 0,5674 0,5437
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Standard-Verpackung:
510
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC024NE2LSATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5437
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,4mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 48W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 25V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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