BSC027N04LSG

Name: TBSC027n04lsg TBSC027n04lsg
Brand: Infineon
SKU: TBSC027n04lsg
Price: 0.4676 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSC027n04lsg

Gehäuse: TDSON-8

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4,1 mOhm; 100A; 83W; -55 °C ~ 150 °C; BSC027N04LS G; BSC027N04LS G; SP000354810

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,1mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC027N04LSG RoHS Gehäuse: TDSON-8 Datenblatt

Auf Lager:

81 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9827	0,6528	0,5412	0,4866	0,4676

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC027N04LSGATMA1 Gehäuse: TDSON-8

Externes Lager:

25000 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4676

Widerstand im offenen Kanal:	4,1mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	83W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD