BSC027N10NS5
Symbol Micros:
TBSC027n10ns5
Gehäuse: PowerTDFN8(5x6)
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP BSC027N10NS5ATMA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 23A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | PowerTDFN8(5x6) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC027N10NS5ATMA1
Gehäuse: PowerTDFN8(5x6)
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3515 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 23A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | PowerTDFN8(5x6) |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole