BSC027N10NS5

Symbol Micros: TBSC027n10ns5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PowerTDFN8(5x6)
Trans MOSFET N-CH 100V 23A 8-Pin TSON EP BSC027N10NS5ATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,7mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: PowerTDFN8(5x6)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 2,7mOhm
Max. Drainstrom: 23A
Maximaler Leistungsverlust: 3W
Gehäuse: PowerTDFN8(5x6)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD