BSC030P03NS3G Infineon

Symbol Micros: TBSC030p03ns3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 25V; 4,6 mOhm; 100A; 125 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC030P03NS3GAUMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,6mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC030P03NS3G RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3200 0,9245 0,7630 0,7045 0,6951
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 4,6mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole