BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON

Symbol Micros: TBSC040n08ns5
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON-8
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 5,7 mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,7mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON-8 Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,1153 0,7814 0,6631 0,6075 0,5866
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Standard-Verpackung:
2300
Widerstand im offenen Kanal: 5,7mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: TDSON-8
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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