BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON

Name: TBSC040n08ns5 TBSC040n08ns5
Brand: Infineon
SKU: TBSC040n08ns5
Price: 0.6006 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSC040n08ns5

Gehäuse: TDSON-8

N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 5,7 mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,7mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC040N08NS5ATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON-8 Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,1418	0,8000	0,6789	0,6219	0,6006

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC040N08NS5ATMA1 Gehäuse: TDSON-8

Externes Lager:

85000 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6420

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC040N08NS5ATMA1 Gehäuse: TDSON-8

Externes Lager:

50000 stk.

Anzahl Stück	5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6098

Widerstand im offenen Kanal:	5,7mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	104W
Gehäuse:	TDSON-8
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	80V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD