BSC040N08NS5ATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TBSC040n08ns5
Gehäuse: TDSON-8
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 5,7 mOhm; 100A; 104 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 104W |
| Gehäuse: | TDSON-8 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 104W |
| Gehäuse: | TDSON-8 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 80V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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