BSC042N03LSGATMA1 Infineon

Symbol Micros: TBSC042n03ls
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,5 mOhm; 93A; 57W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 93A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC042N03LSG RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
67 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6738 0,4226 0,3521 0,3122 0,2934
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 93A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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