BSC0504NSIATMA1

Symbol Micros: TBSC0504nsi
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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Transistor N-Kanal MOSFET; 30V; 20V; 3,7mOhm; 72A; 30W; -55°C ~ 150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,7mOhm
Max. Drainstrom: 72A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC0504NSIATMA1 Gehäuse: TDSON08  
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Widerstand im offenen Kanal: 3,7mOhm
Max. Drainstrom: 72A
Maximaler Leistungsverlust: 30W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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