BSC076N06NS3 G

Symbol Micros: TBSC076n06ns3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,6mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Max. Drainstrom: 75A
Gehäuse: TDFN08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC076N06NS3G RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,8803 0,5861 0,4849 0,4378 0,4190
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 7,6mOhm
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Max. Drainstrom: 75A
Gehäuse: TDFN08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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