BSC076N06NS3 G
Symbol Micros:
TBSC076n06ns3
Gehäuse: TDSON08
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69W |
| Gehäuse: | TDFN08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC076N06NS3GATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
25000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2475 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC076N06NS3GATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
50000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2631 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC076N06NS3GATMA1
Gehäuse: TDSON08
Externes Lager:
250000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Bitte warten Sie auf die Bestätigung der Bestellung) |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2526 |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2026-05-08
Anzahl Stück: 100
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 75A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 69W |
| Gehäuse: | TDFN08 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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