BSC076N06NS3 G

Symbol Micros: TBSC076n06ns3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,6mOhm; 75A; 69W; -55°C ~ 150°C; BSC076N06NS3GATMA1
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,6mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TDFN08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC076N06NS3GATMA1 RoHS Gehäuse: TDSON08 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 800+
Nettopreis (EUR) 0,9115 0,5768 0,4534 0,4130 0,3964
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Standard-Verpackung:
800
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC076N06NS3GATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
160000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3964
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC076N06NS3GATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
285000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3964
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Standard-Verpackung:
5000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,6mOhm
Max. Drainstrom: 75A
Maximaler Leistungsverlust: 69W
Gehäuse: TDFN08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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