BSC0901NSATMA1 INFINEON

Symbol Micros: TBSC0901ns
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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Trans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin TDSON EP BSC0901NS; SP000800248
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSC0901NSATMA1 Gehäuse: TDSON08  
Externes Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2846
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Standard-Verpackung:
5000
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 2,5W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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