BSC0921NDI
Symbol Micros:
TBSC0921ndi
Gehäuse: TISON8
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 7mOhm; 40A; 2,5 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC0921NDIATMA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | TISON8 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC0921NDIATMA1
Gehäuse: TISON8
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4956 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: BSC0921NDIATMA1
Gehäuse: TISON8
Externes Lager:
5000 stk.
| Anzahl Stück | 5000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5163 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 40A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 2,5W |
| Gehäuse: | TISON8 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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