BSC093N04LS G Infineon

Symbol Micros: TBSC093n04ls
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TDSON08
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 13,7 mOhm; 49A; 35W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSC093N04LSGATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,7mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 13,7mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 35W
Gehäuse: TDSON08
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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